Interface Engineering for Steep Slope Cryogenic MOSFETs

Richstein, B. (Corresponding author); Han, Y.; Zhao, Q.; Hellmich, L.; Klos, J.; Scholz, S.; Schreiber, Lars R.; Knoch, J.

New York, NY : IEEE (2022)
Fachzeitschriftenartikel

In: IEEE electron device letters
Band: 43
Heft: 12
Seite(n)/Artikel-Nr.: 2149-2152

Einrichtungen

• Fachgruppe Physik [130000]
• Lehrstuhl für Experimentalphysik und II. Physikalisches Institut [132210]
• Lehrstuhl für Halbleitertechnik und Institut für Halbleitertechnik [616210]